|
Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 3, страницы 559–562
(Mi qe10996)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Роль поглощения на неравновесных носителях при определении коэффициента двухфотонного поглощения в кристаллах CdSe и GaAs
В. С. Днепровский, Ш. М. Ок Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
Аннотация:
Методом зондирования измерен коэффициент поглощения βn на неравновесных (двухфотонно возбужденных) носителях в кристаллах CdSe (βn = 0,04 см/МВт) и GaAs (βn = 0,06 см/МВт) при возбуждении Nd : YAG-лазером.
Поступила в редакцию: 23.07.1975
Образец цитирования:
В. С. Днепровский, Ш. М. Ок, “Роль поглощения на неравновесных носителях при определении коэффициента двухфотонного поглощения в кристаллах CdSe и GaAs”, Квантовая электроника, 3:3 (1976), 559–562 [Sov J Quantum Electron, 6:3 (1976), 298–300]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe10996 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v3/i3/p559
|
|