Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 3, страницы 559–562 (Mi qe10996)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Роль поглощения на неравновесных носителях при определении коэффициента двухфотонного поглощения в кристаллах CdSe и GaAs

В. С. Днепровский, Ш. М. Ок

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
Аннотация: Методом зондирования измерен коэффициент поглощения βn на неравновесных (двухфотонно возбужденных) носителях в кристаллах CdSe (βn = 0,04 см/МВт) и GaAs (βn = 0,06 см/МВт) при возбуждении Nd : YAG-лазером.
Поступила в редакцию: 23.07.1975
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, Volume 6, Issue 3, Pages 298–300
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1976v006n03ABEH010996
Тип публикации: Статья
УДК: 535.341
PACS: 72.40.+w


Образец цитирования: В. С. Днепровский, Ш. М. Ок, “Роль поглощения на неравновесных носителях при определении коэффициента двухфотонного поглощения в кристаллах CdSe и GaAs”, Квантовая электроника, 3:3 (1976), 559–562 [Sov J Quantum Electron, 6:3 (1976), 298–300]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10996
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v3/i3/p559
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024