Влияние лазерного облучения на состояние твердого раствора железа в кремнии

Освещено исследование электрофизическими методами образования дефектов в кремнии под действием лазерного облучения плотности 10⁸ Вт/см². Установлено, что волны напряжения, генерируемые лазерным излучением, могут приводить к изменению локального положения атомов различных элементов в кристаллической решетке твердого тела. Максимум изменения концентрации наблюдается на значительной глубине (~0,5 … 2 мм). Показано, что введением легирующих примесей тяжелых элементов можно снизить порог образования точечных дефектов. Указанный метод можно использовать для дальнейшего исследования природы радиационных повреждений в кристаллических решетках полупроводников.