Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 2, страницы 386–392 (Mi qe10906)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Йодный лазер с активным включением добротности

В. А. Катулин, В. Ю. Носач, А. Л. Петров

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Исследованы хранение инверсии, время развития, спектральный состав, расходимость и форма светового импульса йодного лазера с активным включением добротности. Создан йодный лазер с диаметром луча 8 мм, энергией 0,2 Дж, длительностью отдельного пичка светового импульса ~5 нс.
Поступила в редакцию: 09.09.1975
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, Volume 6, Issue 2, Pages 205–208
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1976v006n02ABEH010906
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.8
PACS: 42.60.Gd


Образец цитирования: В. А. Катулин, В. Ю. Носач, А. Л. Петров, “Йодный лазер с активным включением добротности”, Квантовая электроника, 3:2 (1976), 386–392 [Sov J Quantum Electron, 6:2 (1976), 205–208]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10906
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v3/i2/p386
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:136
    PDF полного текста:77
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024