Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 11, страницы 2201–2202 (Mi qe10879)  

Лазеры и физические процессы в них

Низкопороговые инжекционные лазеры на основе InGaAsP/InP

В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Е. Т. Неделин, В. И. Швейкин

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Приведены характеристики инжекционных InGaAsP/InP-лазеров с длинами волн в районе 1,3 мкм с минимальным пороговым током 4 мА и максимальной рабочей температурой непрерывной генерации 120°C, что соответствует наивысшим достижениям для лазеров этого типа и спектрального диапазона.
Поступила в редакцию: 03.06.1987
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, Volume 17, Issue 11, Pages 1402–1403
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1987v017n11ABEH010879
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.826.038.854.4
PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.60.Pk


Образец цитирования: В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Е. Т. Неделин, В. И. Швейкин, “Низкопороговые инжекционные лазеры на основе InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 14:11 (1987), 2201–2202 [Sov J Quantum Electron, 17:11 (1987), 1402–1403]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10879
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v14/i11/p2201
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024