| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Лазеры и физические процессы в них Низкопороговые инжекционные лазеры на основе InGaAsP/InP В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Е. Т. Неделин, В. И. Швейкин Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, Volume 17, Issue 11, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE1987v017n11ABEH010879 
Реферативные базы данных:
 Образец цитирования: В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Е. Т. Неделин, В. И. Швейкин, “Низкопороговые инжекционные лазеры на основе InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 14:11 (1987), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|