|
Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 11, страницы 2201–2202
(Mi qe10879)
|
|
|
|
Лазеры и физические процессы в них
Низкопороговые инжекционные лазеры на основе InGaAsP/InP
В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Е. Т. Неделин, В. И. Швейкин Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Приведены характеристики инжекционных InGaAsP/InP-лазеров с длинами волн в районе 1,3 мкм с минимальным пороговым током 4 мА и максимальной рабочей температурой непрерывной генерации 120°C, что соответствует наивысшим достижениям для лазеров этого типа и спектрального диапазона.
Поступила в редакцию: 03.06.1987
Образец цитирования:
В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Е. Т. Неделин, В. И. Швейкин, “Низкопороговые инжекционные лазеры на основе InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 14:11 (1987), 2201–2202 [Sov J Quantum Electron, 17:11 (1987), 1402–1403]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe10879 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v14/i11/p2201
|
|