Исследование оптического усиления в AlGaAsSb/GaSb-гетеролазерах

Из измерений оптического усиления в ДГС-лазерах на основе AlGaAsSb/GaSb при температурах 90–305 K получены зависимости коэффициента усиления от уровня накачки для активного GaSb-слоя (p ≈ 10¹⁸см^–3). Показано, что коэффициент усиления линейно зависит от номинального тока накачки j по закону g = β(j – j₀). При температуре 300 K параметры β и j₀ составляют 47 см·мкм·кА^–1 и 4,5 кА·см^–2·мкм^–1 соответственно. Измерены температурные зависимости β и j₀. На основе экспериментальных данных оценены минимальные плотности порогового тока и оптимальные толщины активного слоя для ДГС-лазеров на основе AlGaAsSb/GaSb. Согласно этим оценкам в лазерах, имеющих толщину активного слоя, не превышающую 0,1 мкм, и оптические потери ниже 30 см^–1, плотность порогового тока можно снизить до 1 кА·см^–2.