Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 1, страницы 147–151 (Mi qe10823)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Влияние концентрации абсорбента на глубину провала в спектре генерации лазера на красителе при измерении слабых поглощений методом внутрирезонаторной спектроскопии

А. Н. Рубинов, М. В. Белоконь

Институт физики АН БССР, Минск
Аннотация: Исследовалось влияние концентрации поглощающих частиц на глубину провалов в спектре генерации лазера на красителе с ламповой накачкой при измерениях поглощения молекул J2 методом селективных потерь в резонаторе. Приведены аналитические выражения для расчета зависимости относительной глубины провала от концентрации и расчета чувствительности метода внутрирезонаторной регистрации полос и линий поглощения атомов и молекул. Получен выигрыш в чувствительности при внутрирезонаторной регистрации по сравнению с обычными методами в 8·102 раз.
Поступила в редакцию: 11.07.1975
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, Volume 6, Issue 1, Pages 79–81
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1976v006n01ABEH010823
Тип публикации: Статья
УДК: 621.375.82
PACS: 07.45.+r, 42.60.Eb, 42.60.Lh


Образец цитирования: А. Н. Рубинов, М. В. Белоконь, “Влияние концентрации абсорбента на глубину провала в спектре генерации лазера на красителе при измерении слабых поглощений методом внутрирезонаторной спектроскопии”, Квантовая электроника, 3:1 (1976), 147–151 [Sov J Quantum Electron, 6:1 (1976), 79–81]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10823
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v3/i1/p147
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:112
    PDF полного текста:51
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024