Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1997, том 24, номер 11, страницы 991–992 (Mi qe1081)  

Лазеры, активные среды лазеров

Электроионизационный СО-лазер с накачкой формирующей LC-линией на двухквантовых переходах молекулы СО

В. С. Казакевич, К. В. Морозов, А. Л. Петров, Г. Н. Попков

Самарский филиал Физического института им. П. Н. Лебедева РАН
Аннотация: Исследована генерация на двухквантовых переходах молекулы окиси углерода электроионизационного СО-лазера при накачке разрядом формирующей LC-линии. Показано, что использование этой линии позволяет значительно повысить эффективность генерации на двухквантовых переходах.
Поступила в редакцию: 07.07.1997
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1997, Volume 27, Issue 11, Pages 961–962
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1997v027n11ABEH001081
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Lt, 42.60.Lh


Образец цитирования: В. С. Казакевич, К. В. Морозов, А. Л. Петров, Г. Н. Попков, “Электроионизационный СО-лазер с накачкой формирующей LC-линией на двухквантовых переходах молекулы СО”, Квантовая электроника, 24:11 (1997), 991–992 [Quantum Electron., 27:11 (1997), 961–962]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe1081
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v24/i11/p991
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024