Релаксация лазерных уровней в CO-лазере при столкновениях СО*–CN

Осуществлена экспериментальная проверка гипотезы о протекании процесса разрушения колебательно-возбужденных молекул СО* при столкновении с радикалами CN. Расчетами экспериментально показано, что образование радикалов CN в электронно-возбужденных состояниях происходит при столкновениях с колебательно-возбужденными молекулами СО*. Сечение процесса составляет 10^–13–10^–14 см². Определены населенности состояний СN (B²∑, A²∏) в зависимости от тока разряда, давления и состава лазерных смесей, условий охлаждения и наличия генерации. Показано, что в смесях, не содержащих кислород, скорость релаксации колебательной энергии молекул СО при столкновениях с CN значительна и сравнима со скоростью релаксации при спонтанном ИК-излучении, что необходимо учитывать при теоретических расчетах. В случае смесей, содержащих кислород, влияние CN на разрушение лазерных уровней несущественно, что связано с резким уменьшением концентрации CN в основном состоянии. Обсуждается влияние CN на населенности лазерных колебательных уровней.