Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 9, страницы 2043–2044 (Mi qe10770)  

Краткие сообщения

О возможности расширения области перестройки моноимпульсных неодимовых лазеров

В. П. Докашенко, Э. В. Матюшкин

Физико-технический институт низких температур АН УССР, Харьков
Аннотация: Исследовано влияние различных пассивных модуляторов добротности на величину диапазона перестройки лазера на неодимовом стекле. Показано, что применение в качестве модулятора красителя с областью резонансного поглощения, совпадающей с линией люминесценции стекла, позволяет расширить диапазон перестройки в 1,5 раза.
Поступила в редакцию: 13.02.1978
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, Volume 8, Issue 9, Pages 1154–1155
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1978v008n09ABEH010770
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.002
PACS: 42.55.Rz


Образец цитирования: В. П. Докашенко, Э. В. Матюшкин, “О возможности расширения области перестройки моноимпульсных неодимовых лазеров”, Квантовая электроника, 5:9 (1978), 2043–2044 [Sov J Quantum Electron, 8:9 (1978), 1154–1155]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10770
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v5/i9/p2043
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:94
    PDF полного текста:51
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024