Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 9, страницы 1940–1948 (Mi qe10731)  

Нестационарная теория параметрических неустойчивостей плазмы

В. В. Пустовалов, В. П. Силин, А. А. Черников

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Выявлено влияние ширины линии лазерного излучения на пороговые значения световых потоков, начиная с которых взаимодействие света с лазерной плазмой становится аномальным. В водородной лазерной плазме с температурой электронов 1 кэВ и плотностью 1021 см–3 наименьшее значение такого порогового светового потока неодимового лазера возрастает более чем на порядок при увеличении спектральной ширины плоть до 10–2ω 0.
Поступила в редакцию: 26.05.1977
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, Volume 8, Issue 9, Pages 1097–1101
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1978v008n09ABEH010731
Тип публикации: Статья
УДК: 533.95
PACS: 52.35.Py, 52.50.Jm, 52.40.Db


Образец цитирования: В. В. Пустовалов, В. П. Силин, А. А. Черников, “Нестационарная теория параметрических неустойчивостей плазмы”, Квантовая электроника, 5:9 (1978), 1940–1948 [Sov J Quantum Electron, 8:9 (1978), 1097–1101]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10731
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v5/i9/p1940
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024