Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 9, страницы 2031–2034 (Mi qe10712)  
Краткие сообщения

Об использовании переходов из возбужденного состояния для исследования самоиндуцированной прозрачности

Л. В. Мизрухин, И. И. Пешко, А. И. Хижняк

Институт физики АН УССР, Киев
PDF полного текста (659 kB)
Аннотация: Проведены теоретические оценки, показывающие новые возможности исследования эффекта самоиндуцированной прозрачности (СИП) с помощью зондирующего пучка малой интенсивности. Рассматривается трехуровневая нелинейная среда, на одном из переходов которой осуществляется режим СИП, а по другому проводится зондиро­вание. Существенной особенностью предлагаемой схемы зондирования является использование динамических голограмм на эффекте СИП. Обсуждаются некоторые возможные применения.
Поступила в редакцию: 07.01.1980
Исправленный вариант: 06.05.1980
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, Volume 10, Issue 9, Pages 1177–1179
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1980v010n09ABEH010712
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 535.317+621.375
PACS: 42.54.Gv
Образец цитирования: Л. В. Мизрухин, И. И. Пешко, А. И. Хижняк, “Об использовании переходов из возбужденного состояния для исследования самоиндуцированной прозрачности”, Квантовая электроника, 7:9 (1980), 2031–2034 [Sov J Quantum Electron, 10:9 (1980), 1177–1179]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MizPesKhi80}
\by Л.~В.~Мизрухин, И.~И.~Пешко, А.~И.~Хижняк
\paper Об использовании переходов из возбужденного состояния для исследования самоиндуцированной прозрачности
\jour Квантовая электроника
\yr 1980
\vol 7
\issue 9
\pages 2031--2034
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe10712}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1980
\vol 10
\issue 9
\pages 1177--1179
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1980v010n09ABEH010712}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1980KM83000034}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10712
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i9/p2031
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:115
    PDF полного текста:70
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024