Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 10, страницы 1998–2005 (Mi qe10710)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Активные среды

Плазма Z-пинчей как активная среда лазеров далекой УФ области спектра

А. Н. Ораевский, О. Г. Семёнов, Б. Н. Чичков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Показано, что все необходимые условия для создания лазеров далекой УФ области спектра на основе схем с резонансной фотонакачкой и рекомбинационной накачкой (с радиационным охлаждением) можно получить в плазме Z-пинчей.
Поступила в редакцию: 25.07.1986
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, Volume 17, Issue 10, Pages 1274–1279
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1987v017n10ABEH010710
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826:535.31
PACS: 52.58.Lq, 52.50.Jm


Образец цитирования: А. Н. Ораевский, О. Г. Семенов, Б. Н. Чичков, “Плазма Z-пинчей как активная среда лазеров далекой УФ области спектра”, Квантовая электроника, 14:10 (1987), 1998–2005 [Sov J Quantum Electron, 17:10 (1987), 1274–1279]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10710
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v14/i10/p1998
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024