Гетероструктуры CdSxSe1–x/CdS в лазерах с продольной накачкой электронным пучком

Исследованы характеристики полупроводниковых лазеров на основе гетероструктур CdS_xSe_1–x/CdS (x = 0; 0,9) с продольной накачкой электронным пучком. Применение гетероструктур с прозрачной для излучения пассивной областью позволило увеличить общую длину резонатора и уменьшить расходимость излучения без существенного снижения мощности и тем самым увеличить (более чем в 3 раза) яркость лазера, работающего с криогенным охлаждением. На гетероструктуре CdSe/CdS реализован сканирующий лазер с мощностью 0,5 Вт при комнатной температуре, в котором не наблюдается деградации, обусловленной термоупругими напряжениями и присущей лазерам с таким уровнем мощности на основе монокристаллов.