Сверхизлучение в полупроводниковых лазерах

Обсуждаются условия получения импульсов сверхизлучения в инвертированной среде электрон-дырочных пар в полупроводнике. Показано, что в лазерных полупроводниковых усилителях с усилением αL ≫ 1 сильное оптическое усиление приводит к подавлению фазовой релаксации среды на начальных этапах развития генерации и образованию макроскопического диполя, сформированного электрон-дырочными парами. Кооперативное излучение в данной системе приводит к генерации мощного оптического УКИ усиления, который когерентно взаимодействует с полупроводниковой средой. Показано, что когерентные пульсации оптического поля, ранее наблюдавшиеся автором в полупроводниковых лазерах с модуляцией добротности, обусловлены сверхизлучением и когерентным взаимодействием поля и среды.