Полупроводниковый квантовый генератор с электронной на качкой на основе AlxGa1–xSb

Впервые сообщается о получении стимулированного излучения в твердом растворе Al_xGa_1–xSb при возбуждении электронным пучком и охлаждении жидким азотом. Когерентное излучение получено во всей области составов, где полупроводник остается прямозонным, в диапазоне 1,1…1,6 мкм. Установлена зависимость ширины запрещенной зоны E_g от состава x твердого раствора и определена точка перехода от прямой к непрямой структуре зон (x_c ≈ 0.25, E_c ≈ 1,145 эВ). Показано, что некоторое расхождение данных эксперимента и графического построения зависимости E_g(x) обусловлено влиянием донорных уровней (E_d ≈ 20 мэВ) под непрямым L минимумом. Приводятся параметры созданного на этом материале отпаянного полупроводникового квантового генератора с электронным возбуждением.