Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 8, страницы 1771–1774 (Mi qe10593)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Лазеры на галогенидах благородных газов

Ч. П. Ванг

Аэроспэйс Корпорэйшн, Лаборатория им. И. А. Геттинга, Эль Сегундо, США
Аннотация: Приведены характеристики лазеров на галогенидах благородных газов с накачкой поперечным электрическим разрядом. Отмечается, что получена энергия в импульсе более 100 мДж и полный электрический КПД более 1% в лазерах на XeF и KrF, а также частота повторения импульсов до 400 Гц. Лазерная генерация обнаружена также на ArF, ArCl, KrCl, XeCl и XeBr.
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, Volume 8, Issue 8, Pages 1004–1006
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1978v008n08ABEH010593
Тип публикации: Статья
УДК: 535-31
PACS: 42.55.Fn


Образец цитирования: Ч. П. Ванг, “Лазеры на галогенидах благородных газов”, Квантовая электроника, 5:8 (1978), 1771–1774 [Sov J Quantum Electron, 8:8 (1978), 1004–1006]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10593
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v5/i8/p1771
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:95
    PDF полного текста:65
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024