|
Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 8, страницы 1771–1774
(Mi qe10593)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Лазеры на галогенидах благородных газов
Ч. П. Ванг Аэроспэйс Корпорэйшн, Лаборатория им. И. А. Геттинга, Эль Сегундо, США
Аннотация:
Приведены характеристики лазеров на галогенидах благородных газов с накачкой поперечным электрическим разрядом. Отмечается, что получена энергия в импульсе более 100 мДж и полный электрический КПД более 1% в лазерах на XeF и KrF, а также частота повторения импульсов до 400 Гц. Лазерная генерация обнаружена также на ArF, ArCl, KrCl, XeCl и XeBr.
Образец цитирования:
Ч. П. Ванг, “Лазеры на галогенидах благородных газов”, Квантовая электроника, 5:8 (1978), 1771–1774 [Sov J Quantum Electron, 8:8 (1978), 1004–1006]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe10593 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v5/i8/p1771
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 95 | PDF полного текста: | 65 |
|