Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 10, страницы 2237–2240 (Mi qe10582)  
Эта публикация цитируется в 21 научных статьях (всего в 21 статьях)

Краткие сообщения

Выращивание и оптические свойства системы $AgGa_{1-x}In_xS_2$

В. В. Бадиков, И. Н. Матвеев, В. Л. Панютин, С. M. Пшеничников, А. Э. Розенсон, С. В. Скребнева, Н. К. Троценко, Н. Д. Устинов
PDF полного текста (620 kB) Список цитирования (21)
Аннотация: Исследованы условия роста и выращены монокристаллы системы $AgGa_{1-x}In_xS_2$ $(x=0,08;0,2;0,6)$, измерены коэффициенты поглощения и показатели преломления в диапазоне 0,55-11,5 мкм. Зависимость последних от длины волны аппроксимирована полиномами Селмейера; построены диаграммы фазового синхронизма для процесса смешения частот типа $oo-e$. Обсуждается влияние процентного состава галлия и индия на реализацию условий синхронизма в исследуемой системе.
Поступила в редакцию: 05.04.1980
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, Volume 10, Issue 10, Pages 1302–1303
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1980v010n10ABEH010582
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 548:539.21
PACS: 42.70.Fh, 81.10.Fq
Образец цитирования: В. В. Бадиков, И. Н. Матвеев, В. Л. Панютин, С. M. Пшеничников, А. Э. Розенсон, С. В. Скребнева, Н. К. Троценко, Н. Д. Устинов, “Выращивание и оптические свойства системы $AgGa_{1-x}In_xS_2$”, Квантовая электроника, 7:10 (1980), 2237–2240 [Sov J Quantum Electron, 10:10 (1980), 1302–1303]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BadMatPan80}
\by В.~В.~Бадиков, И.~Н.~Матвеев, В.~Л.~Панютин, С.~M.~Пшеничников, А.~Э.~Розенсон, С.~В.~Скребнева, Н.~К.~Троценко, Н.~Д.~Устинов
\paper Выращивание и оптические свойства системы $AgGa_{1-x}In_xS_2$
\jour Квантовая электроника
\yr 1980
\vol 7
\issue 10
\pages 2237--2240
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe10582}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1980
\vol 10
\issue 10
\pages 1302--1303
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1980v010n10ABEH010582}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1980KQ16600036}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10582
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i10/p2237
    • Эта публикация цитируется в следующих 21 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024