|
Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 10, страницы 2235–2237
(Mi qe10581)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 20 научных статьях (всего в 20 статьях)
Краткие сообщения
Выращивание и нелинейные свойства $HgGa_2S_4$
В. В. Бадиков, И. Н. Матвеев, С. M. Пшеничников, О. В. Рычик, Н. К. Троценко, Н. Д. Устинов, С. И. Щербаков
Аннотация:
Получены однородные монокристаллы тиогаллата ртути $HgGa_2S_4$ диаметром 12 и длиной 40 мм с коэффициентом поглощения порядка 0,1 см${}^{-1}$. Измерены коэффициенты нелинейной восприимчивости $d_{36}(HgGa_2S_4)=1,8d_{36}(AgGaS_2)$ и $d_{31}(HgGa_2S_4)=0,6d_{36}(AgGaS_2)$.
Поступила в редакцию: 05.04.1980
Образец цитирования:
В. В. Бадиков, И. Н. Матвеев, С. M. Пшеничников, О. В. Рычик, Н. К. Троценко, Н. Д. Устинов, С. И. Щербаков, “Выращивание и нелинейные свойства $HgGa_2S_4$”, Квантовая электроника, 7:10 (1980), 2235–2237 [Sov J Quantum Electron, 10:10 (1980), 1300–1301]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe10581 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i10/p2235
|
|