|
Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 10, страницы 2218–2221
(Mi qe10575)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Быстродействующий фотодиод на основе поверхностно-барьерной структуры $Au-nn^+-GaAs$
Ю. А. Васильев, Ю. В. Дмитриев, П. Г. Елисеев, И. А. Скопин, В. И. Стафеев Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Описана конструкция быстродействующего фотодиода на основе поверхностно-барьерной структуры $Au-nn^+-GaAs$, где активная $n$-область является эпитаксиальной пленкой, выращенной газофазным методом с концентрацией свободных электронов $n=10^{14}-10^{15}$ см${}^{-3}$. Фотодиод обладает высокой чувствительностью в широком спектральном диапазоне 0,25-0,9 мкм. Монохроматическая токовая чувствительность 0,5 А/Вт при $\lambda=0,8$ мкм. Время нарастания сигнала фотоотклика достигает 100 пс при напряжении смещения до 50 В.
Поступила в редакцию: 29.02.1980
Образец цитирования:
Ю. А. Васильев, Ю. В. Дмитриев, П. Г. Елисеев, И. А. Скопин, В. И. Стафеев, “Быстродействующий фотодиод на основе поверхностно-барьерной структуры $Au-nn^+-GaAs$”, Квантовая электроника, 7:10 (1980), 2218–2221 [Sov J Quantum Electron, 10:10 (1980), 1288–1289]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe10575 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i10/p2218
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 153 | PDF полного текста: | 72 |
|