|
Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 8, страницы 1785–1789
(Mi qe10548)
|
|
|
|
О методике получения фоторезистивных решетчатых масок. Ч. II
В. А. Сычугов, Т. В. Тулайкова Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Изложена методика получения фоторезистивных решетчатых масок на материалах с высоким коэффициентом отражения, например, на $GaAs$ и металле. Для уменьшения коэффициента отражения света от поверхности подложки, между фоторезистом и высокоотражающей подложкой был использован промежуточный слой $CuO$ определенной толщины. С помощью этой методики на титановых подложках с подслоем $CuO$ получены фоторезистивные маски с периодом 0,6 мкм, глубиной 0,27 мкм и шириной штриха, равной ширине зазора между штрихами. Отличие реальных параметров решетки от расчетных не превышало 20-30%.
Поступила в редакцию: 05.02.1980
Образец цитирования:
В. А. Сычугов, Т. В. Тулайкова, “О методике получения фоторезистивных решетчатых масок. Ч. II”, Квантовая электроника, 7:8 (1980), 1785–1789 [Sov J Quantum Electron, 10:8 (1980), 1029–1031]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe10548 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i8/p1785
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 148 | PDF полного текста: | 93 |
|