|
Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 7, страницы 1557–1561
(Mi qe10451)
|
|
|
|
Динамические голограммы в полупроводниковых кристаллах $(ZnSe)_x-(GaP)_{1-x}$
А. А. Борщ, М. С. Бродин, В. И. Волков, Н. Н. Крупа, И. Л. Романенко, Т. П. Стеценко, В. П. Соболь, В. В. Черный Институт физики АН УССР, Киев
Аннотация:
Впервые проведены исследования процессов динамической голографической записи и стирания информации в новом классе смешанных полупроводниковых кристаллов $(ZnSe)_x-(GaP)_{1-x}$. Показано, что при высоких уровнях возбуждения полупроводников становятся актуальными процессы Оже-рекомбинации, которые существенно ограничивают дифракционную эффективность голограмм на неравновесных носителях и совместно с процессами поглощения света свободными носителями приводят к дополнительному разогреву кристаллов и формированию тепловых голограмм.
Поступила в редакцию: 29.01.1980
Образец цитирования:
А. А. Борщ, М. С. Бродин, В. И. Волков, Н. Н. Крупа, И. Л. Романенко, Т. П. Стеценко, В. П. Соболь, В. В. Черный, “Динамические голограммы в полупроводниковых кристаллах $(ZnSe)_x-(GaP)_{1-x}$”, Квантовая электроника, 7:7 (1980), 1557–1561 [Sov J Quantum Electron, 10:7 (1980), 895–898]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe10451 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i7/p1557
|
|