Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 7, страницы 1530–1534 (Mi qe10448)  
Воздействие переменного электрического поля малой амплитуды на ЦТСЛ-керамику с «памятью»

И. Н. Компанец, А. Г. Соболев

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
PDF полного текста (652 kB)
Аннотация: Исследовано влияние переменного электрического поля на процесс переориентации доменов в сегнетоэлектрической ЦТСЛ-керамике. Проводится сравнение экспериментальных данных с расчетными.
Поступила в редакцию: 18.07.1977
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, Volume 8, Issue 7, Pages 873–875
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1978v008n07ABEH010448
Тип публикации: Статья
УДК: 666.593.5:535
PACS: 77.80.Dj, 42.80.Ks


Образец цитирования: И. Н. Компанец, А. Г. Соболев, “Воздействие переменного электрического поля малой амплитуды на ЦТСЛ-керамику с «памятью»”, Квантовая электроника, 5:7 (1978), 1530–1534 [Sov J Quantum Electron, 8:7 (1978), 873–875]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10448
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v5/i7/p1530
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024