Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1997, том 24, номер 9, страницы 796–798 (Mi qe1044)  

Активные среды

Оценка воспроизводимости параметров лазерных стекол, активированных неодимом

С. К. Мамонов, В. Ф. Суркова

АООТ «Завод оптического стекла», г. Лыткарино, Московская обл.
Аннотация: Приведены спектральные и люминесцентные параметры активированного неодимом стекла ГЛС1 и генерационные параметры активных элементов из этого же стекла. Даны разбросы приведенных параметров, полученные путем статистической обработки результатов контроля стекол, сваренных в различное время и в различных условиях.
Поступила в редакцию: 24.04.1997
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1997, Volume 27, Issue 9, Pages 776–778
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1997v027n09ABEH001044
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.70.Hj, 42.70.Ce, 42.55.Rz


Образец цитирования: С. К. Мамонов, В. Ф. Суркова, “Оценка воспроизводимости параметров лазерных стекол, активированных неодимом”, Квантовая электроника, 24:9 (1997), 796–798 [Quantum Electron., 27:9 (1997), 776–778]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe1044
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v24/i9/p796
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:115
    PDF полного текста:56
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024