Наведенная анизотропия в стеклообразном материале системы As–S

Обнаружено явление изменения анизотропных свойств некоторых халькогенидных стеклообразных полупроводников при воздействии температуры и лазерного излучения длиной волны 0,63 мкм. Величина наведенной анизотропии зависит от состава и предыстории образца и связывается с появлением зародышевых центров новой фазы, возникающих в результате предварительного отжига образцов.