О некоторых особенностях генерации когерентного излучения в узкозонных полупроводниках

Рассмотрены особенности работы лазеров на узкозонных кристаллах, связанные с поглощением на свободных носителях. Показано, что с учетом потерь на свободных носителях генерация на заданной длине волны возможна до некоторой температуры, значение которой растет с уменьшением K. Рассчитаны зависимости пороговой накачки при 77 K от концентрации дырок и найдены оптимальные концентрации, соответствующие минимуму пороговой накачки.