Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 11, страницы 2487–2488 (Mi qe10401)  

Краткие сообщения

Инжекционный $GaInPAs/InP$-гетеролазер с расходимостью излучения $6-7^\circ$, работающий на неволноводных модах

А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Г. Т. Микаелян, Б. Н. Свердлов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Создан гетеролазер на длину волны 1,255 мкм с активным слоем, наклоненным к оси резонатора на угол $13^\circ$. Благодаря наклону исключено возбуждение волноводных мод и получена генерация на неволноводных модах с расходимостью излучения $6-7^\circ$. Минимальное значение пороговой плотности тока при комнатной температуре составило 18 кА/см${}^2$ (лишь в 3 раза выше, чем в аналогичных волноводных лазерах).
Поступила в редакцию: 28.05.1980
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, Volume 10, Issue 11, Pages 1450–1451
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1980v010n11ABEH010401
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 534.42:621.378.325
PACS: 42.55.Px
Образец цитирования: А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Г. Т. Микаелян, Б. Н. Свердлов, “Инжекционный $GaInPAs/InP$-гетеролазер с расходимостью излучения $6-7^\circ$, работающий на неволноводных модах”, Квантовая электроника, 7:11 (1980), 2487–2488 [Sov J Quantum Electron, 10:11 (1980), 1450–1451]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BogEliMik80}
\by А.~П.~Богатов, П.~Г.~Елисеев, Г.~Т.~Микаелян, Б.~Н.~Свердлов
\paper Инжекционный $GaInPAs/InP$-гетеролазер с расходимостью излучения $6-7^\circ$, работающий на неволноводных модах
\jour Квантовая электроника
\yr 1980
\vol 7
\issue 11
\pages 2487--2488
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe10401}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1980
\vol 10
\issue 11
\pages 1450--1451
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1980v010n11ABEH010401}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1980KW87400034}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10401
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i11/p2487
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:160
    PDF полного текста:62
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024