|
Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 6, страницы 1279–1290
(Mi qe10385)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Методы исследования роли поглощающих микровключений в разрушении прозрачных диэлектриков лазерным излучением. I. Пассивные методы
Р. К. Леонов, С. И. Захаров, И. А. Дмитриева, Г. М. Гандельман Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва
Аннотация:
Рассматриваются методы исследования поглощающих включений размером $d_i\lesssim3\times10^{-5}$ см
в прозрачных диэлектриках. На основе исследования рассеяния света микровключениями предложен количественный критерий дискриминации включений по размерам. Разработан и экспериментально обоснован ультрамикроскопический метод измерения функции распределения включений диаметра $d_i\sim10^{-6}-3\cdot10^{-5}$ см в объеме прозрачного диэлектрика по размерам. Предложенный в работе метод применен к промышленным стеклам К8, ТФ5 и ликвирующему стеклу Na-7-B-23. Показано, что все эти стекла имеют неоднородности размера $d_i\sim 10^{-6} -10^{-5}$ см (с концентрацией $\lesssim10^{11}$ см$^{-3}$), тогда как концентрация неоднородностей размера $d_i\gtrsim3\cdot10^{-5}$ см не превышает величины $3\cdot10^{-6}$ см$^{-3}$. Построены функции распределения включений в этих стеклах по размерам.
Поступила в редакцию: 03.07.1977
Образец цитирования:
Р. К. Леонов, С. И. Захаров, И. А. Дмитриева, Г. М. Гандельман, “Методы исследования роли поглощающих микровключений в разрушении прозрачных диэлектриков лазерным излучением. I. Пассивные методы”, Квантовая электроника, 5:6 (1978), 1279–1290 [Sov J Quantum Electron, 8:6 (1978), 729–735]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe10385 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v5/i6/p1279
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 137 | PDF полного текста: | 58 |
|