Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 6, страницы 1279–1290 (Mi qe10385)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Методы исследования роли поглощающих микровключений в разрушении прозрачных диэлектриков лазерным излучением. I. Пассивные методы

Р. К. Леонов, С. И. Захаров, И. А. Дмитриева, Г. М. Гандельман

Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва
Аннотация: Рассматриваются методы исследования поглощающих включений размером $d_i\lesssim3\times10^{-5}$ см в прозрачных диэлектриках. На основе исследования рассеяния света микровключениями предложен количественный критерий дискриминации включений по размерам. Разработан и экспериментально обоснован ультрамикроскопический метод измерения функции распределения включений диаметра $d_i\sim10^{-6}-3\cdot10^{-5}$ см в объеме прозрачного диэлектрика по размерам. Предложенный в работе метод применен к промышленным стеклам К8, ТФ5 и ликвирующему стеклу Na-7-B-23. Показано, что все эти стекла имеют неоднородности размера $d_i\sim 10^{-6} -10^{-5}$ см (с концентрацией $\lesssim10^{11}$ см$^{-3}$), тогда как концентрация неоднородностей размера $d_i\gtrsim3\cdot10^{-5}$ см не превышает величины $3\cdot10^{-6}$ см$^{-3}$. Построены функции распределения включений в этих стеклах по размерам.
Поступила в редакцию: 03.07.1977
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, Volume 8, Issue 6, Pages 729–735
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1978v008n06ABEH010385
Тип публикации: Статья
УДК: 539.24
PACS: 61.80.-x, 42.60.He, 42.70.Ce
Образец цитирования: Р. К. Леонов, С. И. Захаров, И. А. Дмитриева, Г. М. Гандельман, “Методы исследования роли поглощающих микровключений в разрушении прозрачных диэлектриков лазерным излучением. I. Пассивные методы”, Квантовая электроника, 5:6 (1978), 1279–1290 [Sov J Quantum Electron, 8:6 (1978), 729–735]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZakGan78}
\by Р.~К.~Леонов, С.~И.~Захаров, И.~А.~Дмитриева, Г.~М.~Гандельман
\paper Методы исследования роли поглощающих микровключений в разрушении прозрачных диэлектриков лазерным излучением. I. Пассивные методы
\jour Квантовая электроника
\yr 1978
\vol 5
\issue 6
\pages 1279--1290
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe10385}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1978
\vol 8
\issue 6
\pages 729--735
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1978v008n06ABEH010385}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10385
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v5/i6/p1279
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:137
    PDF полного текста:58
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024