Исследование тонкой структуры неоднородно-уширенных полос поглощения иона $Nd^{3+}$ в стекле методом селективного возбуждения

Методом селективного лазерного возбуждения выявлена тонкая структура неоднородно-уширенных полос поглощения ${}^4I_{9/2}\to{}^2G_{7/2}$; ${}^4G_{5/2}$ и построены диаграммы штарковских компонент состояний ${}^2G_{7/2}$; ${}^4G_{5/2}$ при регистрации люминесценции на переходах ${}^4F_{3/2}\to{}^4I_{9/2}$; ${}^4I_{11/2}$. Впервые построена обзорная диаграмма положения штарковских уровней состояний ${}2G_{7/2}$; ${}4G_{7/2}$; ${}^4F_{3/2}$; ${}^4I_{9/2}$; ${}^4I_{11/2}$ для непрерывного набора оптических центров $Nb^{3+}$ в силикатном стекле.