Влияние легирования на пороговые характеристики лазеров на основе GaAs

Теоретически рассмотрено влияние легирования активной области на пороговые и температурные характеристики лазеров на основе CaAs. Проведено сравнение с экспериментальными данными по лазерам с электронной накачкой. Для адекватного описания экспериментальной ситуации во всем интервале концентраций легирующей примеси необходимо учесть влияние на характеристики лазеров поглощения на носителях заряда и оже-рекомбинации неравновесных носителей заряда. Легирование активной области GaAs-лазеров позволяет уменьшить пороговые токи накачки только для малых безызлучательных времен жизни τ_nr. При τ_nr ≈ 1 нс оптимальные концентрации для акцепторов в GaAs p-типа составляют 4·10¹⁸–10¹⁹ и (1–2)·10¹⁸ см^–3 для доноров в GaAs n-типа.