|
Квантовая электроника, 1997, том 24, номер 8, страницы 675–676
(Mi qe1036)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Письма в редакцию
Самоудвоение частоты непрерывной одномикронной генерации в лазере с полупроводниковой лазерной накачкой на основе сегнетоэлектрического и сегнетоупругого кристалла β'-Gd2(MoO4)3:Nd3+
А. А. Каминскийa, С. Н. Багаевb, К. Уедаc, А. А. Павлюкd, М. Мушаc a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
b Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
c Institute for Laser Science, University of Electro-communications, Tokyo, Japan
d Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Создан новый лазер с самоудвоением частоты генерации на основе ромбического кристалла β'-Gd2(MoO4)3:Nd3+.
Поступила в редакцию: 05.06.1997
Образец цитирования:
А. А. Каминский, С. Н. Багаев, К. Уеда, А. А. Павлюк, М. Муша, “Самоудвоение частоты непрерывной одномикронной генерации в лазере с полупроводниковой лазерной накачкой на основе сегнетоэлектрического и сегнетоупругого кристалла β'-Gd2(MoO4)3:Nd3+”, Квантовая электроника, 24:8 (1997), 675–676 [Quantum Electron., 27:8 (1997), 657–658]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1036 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v24/i8/p675
|
|