Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 7, страницы 1447–1450 (Mi qe10341)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

О влиянии процессов миграции носителей на пороговые характеристики полупроводниковых лазеров с продольной накачкой электронным пучком

С. Л. Баженов, О. В. Богданкевич, С. А. Дарзнек, Г. А. Меерович, В. Н. Уласюк

Всесоюзный научно-исследовательский институт метрологической службы, Москва
PDF полного текста (648 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: На основании совместного решения уравнений для электромагнитного поля и активных частиц выполнен расчет пороговых характеристик и поперечных размеров светового пятна при накачке лазера остросфокусированным электронным пучком. Пока­зано, что при малых диаметрах электронного пучка порог возбуждения и размер области генерации определяются рассеянием электронов в процессе торможения и диффузией носителей поперек оси резонатора. Произведено сравнение результатов расчета с экспериментом.
Поступила в редакцию: 28.11.1979
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, Volume 10, Issue 7, Pages 833–835
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1980v010n07ABEH010341
Реферативные базы данных:
УДК: 621.378.826.038.825.4
PACS: 42.55.Px
Образец цитирования: С. Л. Баженов, О. В. Богданкевич, С. А. Дарзнек, Г. А. Меерович, В. Н. Уласюк, “О влиянии процессов миграции носителей на пороговые характеристики полупроводниковых лазеров с продольной накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 7:7 (1980), 1447–1450 [Sov J Quantum Electron, 10:7 (1980), 833–835]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BazBogDar80}
\by С.~Л.~Баженов, О.~В.~Богданкевич, С.~А.~Дарзнек, Г.~А.~Меерович, В.~Н.~Уласюк
\paper О влиянии процессов миграции носителей на пороговые характеристики полупроводниковых лазеров с продольной накачкой электронным пучком
\jour Квантовая электроника
\yr 1980
\vol 7
\issue 7
\pages 1447--1450
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe10341}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1980
\vol 10
\issue 7
\pages 833--835
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1980v010n07ABEH010341}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1980KB79000008}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10341
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i7/p1447
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:112
    PDF полного текста:64
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024