|
Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 11, страницы 2460–2466
(Mi qe10340)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Стационарные характеристики инжекционного квантового усилителя на основе $GaAs$ при узкополосяом входном сигнале
В. Н. Лукьянов, А. Т. Семенов, С. Д. Якубович Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений
Аннотация:
Исследованы усилительные характеристики полоскового гомолазера, положительная обратная связь в котором подавлена из-за расположения оси активной области под углом к торцевым сколам кристалла. В качестве входного сигнала использовалось излучение обычного полоскового гомолазера, работающего в непрерывном одномодовом режиме. Проведен анализ выходных мощностных и спектральных характеристик усилителя в зависимости от уровня накачки и амплитуды входного сигнала. Зарегистрировано усиление более $10^3$ в линейном режиме усиления и практически полное подавление суперлюминесцентного фона при насыщении усиления достаточно большим входным сигналом. При использовании на выходе усилителя спектральной фильтрации с полосой пропускания 0,1 нм экспериментально измеренная чувствительность усилителя составила $0,4\cdot10^{-7}$ Вт.
Поступила в редакцию: 15.05.1980
Образец цитирования:
В. Н. Лукьянов, А. Т. Семенов, С. Д. Якубович, “Стационарные характеристики инжекционного квантового усилителя на основе $GaAs$ при узкополосяом входном сигнале”, Квантовая электроника, 7:11 (1980), 2460–2466 [Sov J Quantum Electron, 10:11 (1980), 1432–1435]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe10340 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i11/p2460
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 114 | PDF полного текста: | 67 |
|