Стационарные характеристики инжекционного квантового усилителя на основе $GaAs$ при узкополосяом входном сигнале

Исследованы усилительные характеристики полоскового гомолазера, положительная обратная связь в котором подавлена из-за расположения оси активной области под углом к торцевым сколам кристалла. В качестве входного сигнала использовалось излучение обычного полоскового гомолазера, работающего в непрерывном одномодовом режиме. Проведен анализ выходных мощностных и спектральных характеристик усилителя в зависимости от уровня накачки и амплитуды входного сигнала. Зарегистрировано усиление более $10^3$ в линейном режиме усиления и практически полное подавление суперлюминесцентного фона при насыщении усиления достаточно большим входным сигналом. При использовании на выходе усилителя спектральной фильтрации с полосой пропускания 0,1 нм экспериментально измеренная чувствительность усилителя составила $0,4\cdot10^{-7}$ Вт.