Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 6, страницы 1367–1370 (Mi qe10313)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Краткие сообщения

Исследование туннельного ввода излучения в диффузные волноводы из $LiNbO_3$

Е. М. Золотов, П. Г. Казанский, В. А. Черных

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Проведен анализ туннельного возбуждения диффузных волноводов с целью оптимизации условий ввода $H-$ и $E$-волн. Рассчитан оптимальный профиль зазора между призмой и волноводом в случае “слабых” $(\Delta n\ll n)$ волноводов. Исследована зависимость коэффициента туннельного излучения от показателя преломления призмы. Предложен метод контроля формы зазора между призмой и волноводом. Экспериментально получена высокая эффективность туннельного возбуждения $H$-волн ($90\%$) и $E$-волн ($65\%$).
Поступила в редакцию: 18.10.1979
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, Volume 10, Issue 6, Pages 788–790
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1980v010n06ABEH010313
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.372.826:621.315.61
PACS: 42.80.Lt
Образец цитирования: Е. М. Золотов, П. Г. Казанский, В. А. Черных, “Исследование туннельного ввода излучения в диффузные волноводы из $LiNbO_3$”, Квантовая электроника, 7:6 (1980), 1367–1370 [Sov J Quantum Electron, 10:6 (1980), 788–790]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZolKazChe80}
\by Е.~М.~Золотов, П.~Г.~Казанский, В.~А.~Черных
\paper Исследование туннельного ввода излучения в диффузные волноводы из $LiNbO_3$
\jour Квантовая электроника
\yr 1980
\vol 7
\issue 6
\pages 1367--1370
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe10313}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1980
\vol 10
\issue 6
\pages 788--790
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1980v010n06ABEH010313}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1980JX61000041}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10313
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i6/p1367
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:97
    PDF полного текста:54
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024