Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 6, страницы 1351–1353 (Mi qe10304)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Краткие сообщения

Стойкость кристаллов $YAG$ и $LiNbO_3$ к излучению $YAG:Er^{3+}$-лазера ($\lambda=2,94$ мкм) в режиме гигантских импульсов

Х. С. Багдасаров, Н. В. Белугина, Г. В. Гомелаури, А. А. Маненков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Измерены пороги объемного разрушения $I_d$ кристаллов иттрий-алюминиевого граната, беспримесных и активированных ионами $Er^{3+}$ с различной концентрацией (до 80 вес.%), а также кристаллов $LiNbO_3$ под действием гигантских импульсов излучения $YAG:Er^{3+}$-лазера с $\lambda=2,94$ мкм и энергией 70 мДж в импульсе длительностью 120 нс. Для кристаллов $YAG$ обнаружено значительное изменение $I_d$ от образца к образцу ($I_d=(2,5-18)\cdot10^{10}$ Вт/см${}^2$), не связанное с примесью $Er^{3+}$, а, по-видимому, обусловленное наличием каких-то неконтролируемых примесей. Обнаружено значительное повышение $I_d$ образцов $YAG:Er^{3+}$, обладающих низкими исходными порогами разрушения, после отжига на воздухе. Для $LiNbO_3$ типичное значение $I_d\approx10^{11}$ Вт/см${}^2$. Полученные результаты указывают на достаточно высокую лазерную стойкость кри­сталлов $YAG:Er^{3+}$ и $LiNbO_3$, используемых соответственно в качестве активного и модуляционного элементов $YAG:Er^{3+}$-лазера.
Поступила в редакцию: 11.01.1980
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, Volume 10, Issue 6, Pages 777–778
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1980v010n06ABEH010304
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.8.038.825
PACS: 61.80.-x, 42.60.He
Образец цитирования: Х. С. Багдасаров, Н. В. Белугина, Г. В. Гомелаури, А. А. Маненков, “Стойкость кристаллов $YAG$ и $LiNbO_3$ к излучению $YAG:Er^{3+}$-лазера ($\lambda=2,94$ мкм) в режиме гигантских импульсов”, Квантовая электроника, 7:6 (1980), 1351–1353 [Sov J Quantum Electron, 10:6 (1980), 777–778]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BagBelGom80}
\by Х.~С.~Багдасаров, Н.~В.~Белугина, Г.~В.~Гомелаури, А.~А.~Маненков
\paper Стойкость кристаллов $YAG$ и $LiNbO_3$ к излучению $YAG:Er^{3+}$-лазера ($\lambda=2,94$~мкм) в режиме гигантских импульсов
\jour Квантовая электроника
\yr 1980
\vol 7
\issue 6
\pages 1351--1353
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe10304}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1980
\vol 10
\issue 6
\pages 777--778
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1980v010n06ABEH010304}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1980JX61000035}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10304
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i6/p1351
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024