|
Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 6, страницы 1227–1235
(Mi qe10270)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Эффект Штарка в молекулярных субмиллиметровых лазерах с оптической накачкой
В. Г. Рак, С. Ф. Дюбко Харьковский государственный университет
Аннотация:
Теоретически рассматриваются эффекты, имеющие место в лазерах с оптической накачкой, активная среда которых подвержена воздействию постоянного электрического поля. Обсуждаются возможности перестройки частоты и модуляции интенсивности выходного излучения лазера. Детальные вычисления характеристик усиления активной среды в электрическом поле выполнены для $CH_3F$-лазера на 496 мкм. Показано, что в таком лазере пределы перестройки частоты выходного излучения могут достигать 3 ГГц, если активная среда допускает применение электрических полей с напряженностью до 30 кВ/см.
Поступила в редакцию: 20.10.1979
Образец цитирования:
В. Г. Рак, С. Ф. Дюбко, “Эффект Штарка в молекулярных субмиллиметровых лазерах с оптической накачкой”, Квантовая электроника, 7:6 (1980), 1227–1235 [Sov J Quantum Electron, 10:6 (1980), 703–708]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe10270 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i6/p1227
|
|