Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 5, страницы 1129–1131 (Mi qe10238)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Краткие сообщения

Стационарный энергообмен между записывающими пучками, управляемый внешним электрическим полем, при формировании голограмм в $KNbO_3$

А. Э. Круминьab, П. Гюнтерba

a Латвийский государственный университет им. П. Стучки, Рига
b Высшая техническая школа г. Цюриха, Швейцария
Аннотация: Исследованы зависимости стационарного энергообмена между записывающими пучками от периода голографической решетки и внешнего электрического поля в восстановленных кристаллах $KNbO_3$. Впервые обнаружено изменение энергообмена во внешнем электрическом поле, что объясняется дрейфовым механизмом записи голограмм при невыполнении условия квазинейтральности. Экспериментальные результаты описываются на основе теории Кухтарева-Винецкого.
Поступила в редакцию: 20.10.1979
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, Volume 10, Issue 5, Pages 651–652
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1980v010n05ABEH010238
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 537.226.4
PACS: 42.40.Ht
Образец цитирования: А. Э. Круминь, П. Гюнтер, “Стационарный энергообмен между записывающими пучками, управляемый внешним электрическим полем, при формировании голограмм в $KNbO_3$”, Квантовая электроника, 7:5 (1980), 1129–1131 [Sov J Quantum Electron, 10:5 (1980), 651–652]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KruGyu80}
\by А.~Э.~Круминь, П.~Гюнтер
\paper Стационарный энергообмен между записывающими пучками, управляемый внешним электрическим полем, при формировании голограмм в $KNbO_3$
\jour Квантовая электроника
\yr 1980
\vol 7
\issue 5
\pages 1129--1131
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe10238}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1980
\vol 10
\issue 5
\pages 651--652
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1980v010n05ABEH010238}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1980JU57100039}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10238
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i5/p1129
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:96
    PDF полного текста:57
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024