|
Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 12, страницы 2543–2551
(Mi qe10224)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
О коэффициенте усиления света в реакциях рекомбинации атомов галогенов
И. А. Измайлов, В. А. Кочелап Институт полупроводников АН УССР, Киев
Аннотация:
С использованием экспериментальных данных обсужден радиационный канал реакций рекомбинации атомов галогенов. Показано, что существуют различные типы заселений возбужденных электронных состояний, образующихся при рекомбинации. Рассчитаны сечения усиления света для различных переходов. Показано, что при концентрациях рекомбинирующих атомов $1-5\cdot10^{18}$ см${}^{-3}$ при температурах, не превышающих 600-800 К, может реализоваться усиление света в ближнем ИК диапазоне порядка $10^{-3}$ см${}^{-1}$.
Поступила в редакцию: 04.04.1980
Образец цитирования:
И. А. Измайлов, В. А. Кочелап, “О коэффициенте усиления света в реакциях рекомбинации атомов галогенов”, Квантовая электроника, 7:12 (1980), 2543–2551 [Sov J Quantum Electron, 10:12 (1980), 1484–1489]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe10224 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i12/p2543
|
|