Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 12, страницы 2531–2535 (Mi qe10218)  
Задержанное вынужденное послесвечение ионов гольмия в кристаллах с соактиваторами

М. В. Петров, А. М. Ткачук
PDF полного текста (990 kB)
Аннотация: Обнаружено и исследовано задержанное вынужденное послесвечение ионов гольмия в кристаллах $\alpha\beta-SrF_2-YF_3$ в виде нескольких серий пичков излучения, разделенных темповыми промежутками, после действия одного импульса накачки. Эффект объяснен особенностями механизма заселения верхнего рабочего уровня генерирующего иона гольмия в присутствии ионов-сенсибилизаторов. Показано, что для наблюдения эффекта необходимо наличие в системе метастабильного уровня, передача энергии с которого на рабочий уровень обеспечивает автономную систему “подкачки” ионов гольмия за времена, намного превышающие длительность импульса накачки.
Поступила в редакцию: 26.03.1980
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, Volume 10, Issue 12, Pages 1478–1481
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1980v010n12ABEH010218
Реферативные базы данных:
УДК: 621.373.038.825.2
PACS: 42.55.Rz, 78.45.+h
Образец цитирования: М. В. Петров, А. М. Ткачук, “Задержанное вынужденное послесвечение ионов гольмия в кристаллах с соактиваторами”, Квантовая электроника, 7:12 (1980), 2531–2535 [Sov J Quantum Electron, 10:12 (1980), 1478–1481]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PetTka80}
\by М.~В.~Петров, А.~М.~Ткачук
\paper Задержанное вынужденное послесвечение ионов гольмия в кристаллах с соактиваторами
\jour Квантовая электроника
\yr 1980
\vol 7
\issue 12
\pages 2531--2535
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe10218}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1980
\vol 10
\issue 12
\pages 1478--1481
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1980v010n12ABEH010218}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1980KY63500003}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10218
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i12/p2531
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:104
    PDF полного текста:62
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024