|
Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 12, страницы 2531–2535
(Mi qe10218)
|
|
|
|
Задержанное вынужденное послесвечение ионов гольмия в кристаллах с соактиваторами
М. В. Петров, А. М. Ткачук
Аннотация:
Обнаружено и исследовано задержанное вынужденное послесвечение ионов гольмия в кристаллах $\alpha\beta-SrF_2-YF_3$ в виде нескольких серий пичков излучения, разделенных темповыми промежутками, после действия одного импульса накачки. Эффект объяснен особенностями механизма заселения верхнего рабочего уровня генерирующего иона гольмия в присутствии ионов-сенсибилизаторов. Показано, что для наблюдения эффекта необходимо наличие в системе метастабильного уровня, передача энергии с которого на рабочий уровень обеспечивает автономную систему “подкачки” ионов гольмия за времена, намного превышающие длительность импульса накачки.
Поступила в редакцию: 26.03.1980
Образец цитирования:
М. В. Петров, А. М. Ткачук, “Задержанное вынужденное послесвечение ионов гольмия в кристаллах с соактиваторами”, Квантовая электроника, 7:12 (1980), 2531–2535 [Sov J Quantum Electron, 10:12 (1980), 1478–1481]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe10218 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i12/p2531
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 104 | PDF полного текста: | 62 |
|