Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 5, страницы 1028–1033 (Mi qe10141)  

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

Безызлучательные потери на переходе 4I11/24I13/2 иона Er3+ в кристаллах Y3Al5O12, Gd3Sc2Al3O12, Y3Ga5O12, Gd3Ga5O12, CaF2

М. Х. Ашуров, Т. Т. Басиев, Ю. К. Воронько, Е. В. Жариков, В. И. Жеков, Т. М. Мурина, В. В. Осико, М. И. Тимошечкин, И. А. Щербаков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Изучены внутрицентровые потери энергии на лазерном переходе 4I11/24I13/2 обусловленные многофононной безызлучательной релаксацией для ионов Er3+ в ряде кристаллов со структурой граната. Показано, что в скандий-алюминиевом гранате эти потери в два раза, а в гадолиний-галлиевом и иттрий-галлиевом на порядок меньше, чем для иттрий- алюминиевого граната. Это может быть объяснено уменьшением частот активных для данного перехода фононов вследствие увеличения массы иона, замещающего Al3+ в решетке граната, и подтверждается усилением температурной зависимости тушения в гадолиний-галлиевом гранате. Предложено использовать смешанные скандий-алюминиевые и галлиевые гранаты с высоким содержанием Er3+ в качестве более эффективных матриц для лазеров с длиной волны генерации вблизи 3 мкм.
Поступила в редакцию: 20.11.1976
Исправленный вариант: 23.05.1977
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, Volume 8, Issue 5, Pages 588–591
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1978v008n05ABEH010141
Тип публикации: Статья
УДК: 535.373.2
PACS: 42.55.Rz, 61.70.Wp


Образец цитирования: М. Х. Ашуров, Т. Т. Басиев, Ю. К. Воронько, Е. В. Жариков, В. И. Жеков, Т. М. Мурина, В. В. Осико, М. И. Тимошечкин, И. А. Щербаков, “Безызлучательные потери на переходе 4I11/24I13/2 иона Er3+ в кристаллах Y3Al5O12, Gd3Sc2Al3O12, Y3Ga5O12, Gd3Ga5O12, CaF2”, Квантовая электроника, 5:5 (1978), 1028–1033 [Sov J Quantum Electron, 8:5 (1978), 588–591]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10141
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v5/i5/p1028
  • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024