Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 4, страницы 868–874 (Mi qe10123)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

О значениях электронной плотности в лазерном факеле

Е. Н. Рагозин

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
PDF полного текста (1198 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Проведен анализ измерений профилей плотности и скорости и исследован ионный состав плазмы в лазерном факеле по спектрам многозарядных ионов в далекой В УФ области спектра. Высказана гипотеза о наличии скачка разрежения (дефлаграции) в окрестности критической точки вследствие аномально малых значений электронной теплопроводности. Гипотеза позволяет с единой точки зрения объяснить низкие значения электронной плотности в короне, в том числе в точке Жуге, высокие значения электронной температуры и низкую скорость испарения вещества мишени, а также разрыв между электронной и ионизационной температурами.
Поступила в редакцию: 03.10.1979
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, Volume 10, Issue 4, Pages 493–497
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1980v010n04ABEH010123
Реферативные базы данных:
УДК: 621.039.66+621.375.826
PACS: 52.50.Jm
Образец цитирования: Е. Н. Рагозин, “О значениях электронной плотности в лазерном факеле”, Квантовая электроника, 7:4 (1980), 868–874 [Sov J Quantum Electron, 10:4 (1980), 493–497]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Rag80}
\by Е.~Н.~Рагозин
\paper О значениях электронной плотности в лазерном факеле
\jour Квантовая электроника
\yr 1980
\vol 7
\issue 4
\pages 868--874
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe10123}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1980
\vol 10
\issue 4
\pages 493--497
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1980v010n04ABEH010123}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1980JQ73200023}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10123
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i4/p868
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:179
    PDF полного текста:81
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024