|
Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 4, страницы 849–854
(Mi qe10120)
|
|
|
|
О методике получения фоторезистивных решетчатых масок
С. С. Степанов, В. А. Сычугов, Т. В. Тулайкова Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Изложена методика получения фоторезистивных масок с заданным периодом и зазором между штрихами. Проведен анализ условий, определяющих время экспонирования, время проявления и концентрацию проявителя, необходимых для реализации маски с произвольной шириной зазора. Предлагаемая методика принципиально пригодна для создания масок с шириной зазора, равной ширине штриха для любого материала подложки. Показаны пределы применимости методики для получения масок с заданным профилем штриха. Все эксперименты выполнены для пленок из фоторезиста ФП-РН-7 на стеклянной подложке. При использовании изложенной методики получены фоторезистивные маски двух различных видов с периодами 0,4; 0,6 и 0,74 мкм для двух толщин пленки. Отклонение параметров масок от расчетных не превышало 20%.
Поступила в редакцию: 24.08.1979
Образец цитирования:
С. С. Степанов, В. А. Сычугов, Т. В. Тулайкова, “О методике получения фоторезистивных решетчатых масок”, Квантовая электроника, 7:4 (1980), 849–854 [Sov J Quantum Electron, 10:4 (1980), 483–486]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe10120 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i4/p849
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 144 | PDF полного текста: | 86 |
|