|
Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 4, страницы 770–774
(Mi qe10110)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)
Вынужденное рассеяние света в мезофазе смектического жидкого кристалла
Б. Я. Зельдович, Н. В. Табирян Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Для мезофазы смектического жидкого кристалла типа С (СЖК-С) обсуждается процесс вынужденного рассеяния (BP) света, т.е. процесс усиления слабого поля, сдвинутого по частоте относительно монохроматического сильного поля. Рассмотрены два механизма BP: нестационарный поворот С-директора и нестационарный прогрев слабо поглощающего СЖК-С интерферирующими полями, сопровождаемый температурным изменением угла наклона молекулярных осей по отношению к смектическим слоям. Расчет коэффициентов усиления дает весьма оптимистические оценки для возможности реализации обоих видов BP в СЖК-С. Обсуждается возможность обращения волнового фронта света на основе четырехволновых и ВР-нелинейностей СЖК-С.
Поступила в редакцию: 08.08.1979
Образец цитирования:
Б. Я. Зельдович, Н. В. Табирян, “Вынужденное рассеяние света в мезофазе смектического жидкого кристалла”, Квантовая электроника, 7:4 (1980), 770–774 [Sov J Quantum Electron, 10:4 (1980), 440–442]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe10110 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i4/p770
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 130 | PDF полного текста: | 60 |
|