Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 4, страницы 743–748 (Mi qe10105)  
О формировании коррелированных с возбуждающим излучением полей при вынужденном рассеянии

И. М. Бельдюгин, И. Г. Зубарев

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
PDF полного текста (737 kB)
Аннотация: Рассмотрен процесс формирования коррелированных с накачкой стоксовых полей при вынужденном рассеянии. Показано, что формирование коррелированного поля происходит постепенно по мере распространения затравочных стоксовых волн по рассеивающей среде и так же постепенно нарастает инкремент усиления этой конфигу­рации, в пределе стремясь к удвоенному значению среднего инкремента. При этом характер формирования коррелированного поля таков, что лучше обращаются высокие пространственные частоты возбуждающего излучения и хуже - низкие.
Поступила в редакцию: 15.06.1979
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, Volume 10, Issue 4, Pages 425–427
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1980v010n04ABEH010105
Реферативные базы данных:
УДК: 535.375
PACS: 42.65.Cq
Образец цитирования: И. М. Бельдюгин, И. Г. Зубарев, “О формировании коррелированных с возбуждающим излучением полей при вынужденном рассеянии”, Квантовая электроника, 7:4 (1980), 743–748 [Sov J Quantum Electron, 10:4 (1980), 425–427]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BelZub80}
\by И.~М.~Бельдюгин, И.~Г.~Зубарев
\paper О формировании коррелированных с возбуждающим излучением полей при вынужденном рассеянии
\jour Квантовая электроника
\yr 1980
\vol 7
\issue 4
\pages 743--748
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe10105}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1980
\vol 10
\issue 4
\pages 425--427
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1980v010n04ABEH010105}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1980JQ73200005}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10105
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i4/p743
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:158
    PDF полного текста:61
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024