|
Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 4, страницы 926–928
(Mi qe10076)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Краткие сообщения
Влияние лазерного излучения на прилипание электронов к молекулам
И. М. Бетеров, В. П. Чеботаев, Н. В. Фатеев, Д. В. Яковин Институт физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирск
Аннотация:
Сообщается об экспериментальном наблюдении изменения концентрации отрицательных ионов в газе SF6 в присутствии излучения CO2-лазера. Наблюдаемый эффект обусловлен изменением коэффициента прилипания и резонансной энергии электронов. Обсуждается возможность использования явления для лазерного разделения изотопов.
Поступила в редакцию: 07.09.1977
Образец цитирования:
И. М. Бетеров, В. П. Чеботаев, Н. В. Фатеев, Д. В. Яковин, “Влияние лазерного излучения на прилипание электронов к молекулам”, Квантовая электроника, 5:4 (1978), 926–928 [Sov J Quantum Electron, 8:4 (1978), 533–534]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe10076 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v5/i4/p926
|
|