Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 3, страницы 684–686 (Mi qe10039)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Краткие сообщения

Генерация на λ = 502 нм при длительной световой накачке паров HgBr2

С. П. Бажулин, Н. Г. Басов, В. С. Зуев, Ю. С. Леонов, Ю. Ю. Стойлов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Сообщается о получении лазерной генерации длительностью ~ 2 мкс в зеленой области спектра при фотодиссоциации паров HgBr2 светом открытого сильноточного разряда. Измерены скорости тушения люминесценции различными буферными газами.
Поступила в редакцию: 29.08.1977
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, Volume 8, Issue 3, Pages 402–403
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1978v008n03ABEH010039
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.33
PACS: 42.55.Ks, 82.50.Et


Образец цитирования: С. П. Бажулин, Н. Г. Басов, В. С. Зуев, Ю. С. Леонов, Ю. Ю. Стойлов, “Генерация на λ = 502 нм при длительной световой накачке паров HgBr2”, Квантовая электроника, 5:3 (1978), 684–686 [Sov J Quantum Electron, 8:3 (1978), 402–403]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10039
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v5/i3/p684
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024