Исследование зависимости излучательных свойств монокристаллов сульфида кадмия от концентрации равновесных носителей тока

Исследованы спектры фотолюминесценции (T = 77 K) кристаллов CdS в зависимости от концентрации равновесных носителей тока n = 10¹³–10¹⁸см^–3. На исследованных кристаллах при возбуждении электронным пучком измерена эффективная величина коэффициента оптического усиления (КОУ) и пороговая плотность тока генерации при T = 85 K. Наибольший КОУ, равный 70–100 см^–1 (j = 1 А/см²), и наименьшая пороговая плотность тока генерации получены на нелегированных кристаллах (n = 10¹³–10¹⁴ см^–3), в спектрах фотолюминесценции которых наблюдалась линия излучения свободного экситона А вместе с излучением, обусловленным рекомбинацией свободного экситона А с испусканием одного и двух продольных оптических колебаний решетки. Установлено, что кристаллы CdS с n > 5 · 10¹⁶ см^–3 использовать для лазеров с электронным возбуждением нецелесообразно.