Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 3, страницы 641–643 (Mi qe10009)  
Краткие сообщения

Голограммы на полном внутреннем отражении, записанные в тонких слоях $As_2S_3$

С. Сыйнов, Р. Стойчева, П. Марковски
PDF полного текста (560 kB)
Аннотация: Сообщаются результаты исследований голограмм, в которых опорная волна испытывает полное внутреннее отражение на границе раздела регистрирующая среда-воздух. Исследовались особенности поляризационной зависимости интенсивности восстановленной волны от угла поляризации при записи и восстановлении, а также от тол­щины слоя $As_2S_3$.
Поступила в редакцию: 11.09.1979
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, Volume 10, Issue 3, Pages 366–367
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1980v010n03ABEH010009
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 778.38
PACS: 42.40.Ht
Образец цитирования: С. Сыйнов, Р. Стойчева, П. Марковски, “Голограммы на полном внутреннем отражении, записанные в тонких слоях $As_2S_3$”, Квантовая электроника, 7:3 (1980), 641–643 [Sov J Quantum Electron, 10:3 (1980), 366–367]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SiiStoMar80}
\by С.~Сыйнов, Р.~Стойчева, П.~Марковски
\paper Голограммы на полном внутреннем отражении, записанные в тонких слоях $As_2S_3$
\jour Квантовая электроника
\yr 1980
\vol 7
\issue 3
\pages 641--643
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe10009}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1980
\vol 10
\issue 3
\pages 366--367
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1980v010n03ABEH010009}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1980JP22400031}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10009
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i3/p641
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:110
    PDF полного текста:59
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024