Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1994, том 21, номер 5, страница 422 (Mi qe100)  
Лазеры

Оценка степени устойчивости непрерывных InGaAsP- и GaAlAs-гетеролазеров к деградации при старении и облучении

А. А. Кочетков
PDF полного текста (90 kB)
Аннотация: Исследована деградация GaAlAs- и InGaAsP-гетеролазеров при старении и облучении потоком быстрых частиц. Определен параметр, являющийся информативным показателем кинетики этих процессов.
Поступила в редакцию: 10.08.1993
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1994, Volume 24, Issue 5, Pages 389
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1994v024n05ABEH000100
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 42.88.+h


Образец цитирования: А. А. Кочетков, “Оценка степени устойчивости непрерывных InGaAsP- и GaAlAs-гетеролазеров к деградации при старении и облучении”, Квантовая электроника, 21:5 (1994), 422 [Quantum Electron., 24:5 (1994), 389]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe100
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v21/i5/p422
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024