Видеотека
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Видеотека
Архив
Популярное видео

Поиск
RSS
Новые поступления






Вторая конференция Математических центров России. Секция «Прикладная математика и математическое моделирование»
7 ноября 2022 г. 15:25–15:50, г. Москва, ИВМ РАН, аудитория 727
 


Математическое моделирование неустойчивого состояния жидкого кристалла в неоднородном электрическом поле

В. М. Садовский
Дополнительные материалы:
Adobe PDF 26.3 Mb

Количество просмотров:
Эта страница:119
Материалы:9

Аннотация: Моделируется эффект переориентации молекул в протяженном жидкокристаллическом слое, находящемся в неоднородном электрическом поле конденсатора с короткими перио дически расположенными обкладками. Определяющие уравнения модели представляют собой нелинейные вариационные уравнения Эйлера для электрического потенциала и угла ориентации молекул в задаче миним изации функционала потенциальной энергии. Для численного решения уравнений построена вариационно-разностная схема, алгоритмическая реализация которой основана на методе прямых и итерационном процессе, на каждом шаге которого строится решение уравнения Пуассона с помощью быстрого преобразования Фурье.
Программная реализация алгоритма выполнена по технологии CUDA для вычислительных систем с графическими ускорителями. Алгоритм и программа верифицированы на точн ом решении задачи для однородного электрического поля с постоянным начальным углом ориентации молекул жидкого кристалла. В серии расчетов получены результаты, и митирующие процесс образования больших доменов сориентированных молекул (роев) при потере устойчивости равновесия центров.
Работа поддержана Красноярским математическим центром, финансируемым Минобрнауки РФ в рамках мероприятий по созданию и развитию региональных НОМЦ (Соглашение 07 5-02-2022-873).

Дополнительные материалы: СадовскийВМ.pdf (26.3 Mb)
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024