Резонансное рассеяние электронов на круглом наноотверстии в графене

Краевые состояния, которые наблюдались на линейном краю графена, могут также существовать на изогнутом краю. Вычислено транспортное сечение рассеяния электронов на круглом наноотверстии в графене, которое поддерживает краевые состояния. Показано, что зависимость проводимости листа графена с такими наноотверстиями от напряжения на затворе имеет резонансный характер. Положение и высота резонансных пиков определяются глубиной локализации квазистационарных краевых состояний, а ширина - их временем жизни. Амплитуда рассеяния вблизи резонансных энергий сильно асимметрична по долинам. Оценено влияние рипплов, неоднородности граничного параметра и кулоновских эффектов на краевые состояния и показано, что эти эффекты не влияют на существование резонансов, но могут существенно изменить их положение, высоту и ширину. Локальная плотность состояний вблизи наноотверстия также демонстрирует резонансную зависимость от напряжения на затворе.